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Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika
In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Kolejni autorzy: | |
| Format: | Dissertation |
| Język: | niemiecki |
| Wydane: |
Philipps-Universität Marburg
2016
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| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | PDF pełnotekstowe |
| Etykiety: |
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Internet
PDF pełnotekstowe| Sygnatura: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786 |
|---|---|
| Data wydania: |
2016-08-24 |
| Datum der Annahme: |
2016-07-21 |
| Downloads: |
59 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| URL dostępu: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478 https://doi.org/10.17192/z2016.0478 |