Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Pomberg, Michael
Այլ հեղինակներ: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:գերմաներեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2016
Խորագրեր:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

PDF ամբողջական տեքստ

Պահումների մանրամասները
Դասիչ: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Հրապարակման ամսաթիվ: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 61 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Հասանելի URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

Նմանատիպ նյութեր