Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Pomberg, Michael
Otros Autores: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Orientador)
Formato: Dissertation
Lenguaje:alemán
Publicado: Philipps-Universität Marburg 2016
Materias:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
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Número de Clasificación: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Fecha de Publicación: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 61 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL de Acceso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

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