Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Pomberg, Michael
Άλλοι συγγραφείς: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Εισηγητής διατριβής)
Μορφή: Dissertation
Γλώσσα:Γερμανικά
Έκδοση: Philipps-Universität Marburg 2016
Θέματα:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
Διαθέσιμο Online:Πλήρες κείμενο PDF
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Διαδίκτυο

Πλήρες κείμενο PDF

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από
Ταξινομικός Αριθμός: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Ημερομηνία έκδοσης: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 59 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

Παρόμοια τεκμήρια