Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry
The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...
שמור ב:
מחבר ראשי: | |
---|---|
מחברים אחרים: | |
פורמט: | Dissertation |
שפה: | אנגלית |
יצא לאור: |
Philipps-Universität Marburg
2015
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | PDF-Volltext |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!