Description of Gallium Phosphide Epitaxy Growth by Computational Chemistry

The following research goals were achieved supporting the development of novel III/V semiconductor materials and their integration in optoelectronic devices. (i) For triethylgallane (TEGa), tert-butylphosphine (TBP) and related precursors, the decomposition networks were comprehensively elaborated...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stegmüller, Andreas
Beteiligte: Tonner, Ralf (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2015
Schlagworte:
Online-Zugang:PDF-Volltext
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