Publikationsserver
Growth and characterization of dilute bismide GaAs based alloys for high efficiency infra red laser diodes
A lot of energy in today's optical communication is wasted due to the inefficiency of optoelectronic devices operating at the telecommunication wavelength of 1.55 µm. The novel Ga(AsBi) material system is very promising to address this as it could enable the fabrication of high efficiency IR ph...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Dissertation |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2014
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!