Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium
In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Định dạng: | Dissertation |
Ngôn ngữ: | Tiếng Đức |
Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2012
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Internet
Bài toàn văn PDFSố hiệu: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054 |
---|---|
Ngày xuất bản: |
2012-10-05 |
Datum der Annahme: |
2012-06-27 |
Downloads: |
87 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Địa chỉ truy cập: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905 https://doi.org/10.17192/z2012.0905 |