Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Volledige beschrijving

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Beyer, Andreas
Andere auteurs: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis begeleider)
Formaat: Dissertation
Taal:Duits
Gepubliceerd in: Philipps-Universität Marburg 2012
Onderwerpen:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
Online toegang:PDF Full text
Tags: Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!

Internet

PDF Full text

Exemplaargegevens van
Plaatsingsnummer: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054
Publicatiedatum: 2012-10-05
Datum der Annahme: 2012-06-27
Downloads: 91 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL naar item: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905
https://doi.org/10.17192/z2012.0905

Gelijkaardige items