Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолч: Beyer, Andreas
Бусад зохиолчид: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат: Dissertation
Хэл сонгох:герман
Хэвлэсэн: Philipps-Universität Marburg 2012
Нөхцлүүд:
Physik
Epitaxy
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Silicon
Epitaxie
Scanning transmission electron microscopy
Galliumphosphide
Silicium
Physics
Онлайн хандалт:PDF-н бүрэн текст
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!

Интернэт

PDF-н бүрэн текст

-с авсан түр хойшлуулсан зүйлсийн дэлгэрэнгүй мэдээлэл
Зохиогчийн тэмдэгт: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054
Хэвлэлийн огноо: 2012-10-05
Datum der Annahme: 2012-06-27
Downloads: 91 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Хандалтын URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905
https://doi.org/10.17192/z2012.0905

Ижил төстэй зүйлс