Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Cijeli opis

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autor: Beyer, Andreas
Daljnji autori: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Savjetnik disertacije)
Format: Dissertation
Jezik:njemački
Izdano: Philipps-Universität Marburg 2012
Teme:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
Online pristup:PDF cijeli tekst
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!

Internet

PDF cijeli tekst

Detalji primjeraka od
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054
Datum izdanja: 2012-10-05
Datum der Annahme: 2012-06-27
Downloads: 91 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL pristupa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905
https://doi.org/10.17192/z2012.0905

Slični predmeti