Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Beyer, Andreas
অন্যান্য লেখক: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
বিন্যাস: Dissertation
ভাষা:জার্মান
প্রকাশিত: Philipps-Universität Marburg 2012
বিষয়গুলি:
Silicon
Physik
Galliumphosphid
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Epitaxie
Galliumphosphide
Scanning transmission electron microscopy
Silicium
Epitaxy
Physics
অনলাইন ব্যবহার করুন:পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

আন্তর্জাল

পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ

হোল্ডিংসের বিবরণ
ডাক সংখ্যা: urn:nbn:de:hebis:04-z2012-09054
প্রকাশনার তারিখ: 2012-10-05
Datum der Annahme: 2012-06-27
Downloads: 91 (2024), 209 (2023), 169 (2022), 148 (2021), 171 (2020), 272 (2019), 195 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL ব্যবহার করুন: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2012/0905
https://doi.org/10.17192/z2012.0905

অনুরূপ উপাদানগুলি