Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern

Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Karcher, Christian
Այլ հեղինակներ: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:գերմաներեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2011
Խորագրեր:
Donator <Halbleiterphysik>
Physik
Semiconductor physics
Isoelectronic impurity
Impurity state
Isoelektronische Störstelle
Störstellenverteilung
Störstellenniveau
Impurity distribution
Donor
Akzeptor <Halbleiterphysik>
Bandbiegung
Halbleiterphysik
Acceptor
Band gap
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր