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Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
| मुख्य लेखक: | |
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| अन्य लेखक: | |
| स्वरूप: | Dissertation |
| भाषा: | जर्मन |
| प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
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Isolectronic impurities and their impact on the properties of compound semiconductors is discussed in two systems: Nitrogen in Ga(As,P) quantum wells on the one hand and Sulfur and Selenium in bulk ZnTe. The properties are reduced to two experimentally observable aspects: Band Bowing, i.e. the non-linearity of the band gap of the compound semiconductor and disorder, i.e. in particular the formation of a strongly localized density of states beneath the fundamental band gap. Apart of the pure experimental studies an insight into the theoretical model of disorder-induced temperature dependent luminescence properties of the compound semiconductors by means of Monte Carlo Simulations is given.