Publikationsserver
Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Altres autors: | |
| Format: | Dissertation |
| Idioma: | alemany |
| Publicat: |
Philipps-Universität Marburg
2011
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | PDF a text complet |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Isolectronic impurities and their impact on the properties of compound semiconductors is discussed in two systems: Nitrogen in Ga(As,P) quantum wells on the one hand and Sulfur and Selenium in bulk ZnTe. The properties are reduced to two experimentally observable aspects: Band Bowing, i.e. the non-linearity of the band gap of the compound semiconductor and disorder, i.e. in particular the formation of a strongly localized density of states beneath the fundamental band gap. Apart of the pure experimental studies an insight into the theoretical model of disorder-induced temperature dependent luminescence properties of the compound semiconductors by means of Monte Carlo Simulations is given.