Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...

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Opis bibliograficzny
1. autor: Güngerich, Martin
Kolejni autorzy: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:niemiecki
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2007
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
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