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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
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| Бусад зохиолчид: | |
| Формат: | Dissertation |
| Хэл сонгох: | герман |
| Хэвлэсэн: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | PDF-н бүрэн текст |
| Шошгууд: |
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