Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...

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מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Güngerich, Martin
מחברים אחרים: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:גרמנית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2007
נושאים:
Dilute nitride
Isoelektronische Störstelle
Optische Spektroskopie
Verdünnt-stickstoffhaltige III-V Halbleiter
GaNAs
Störstellenniveau
GaNP
Halbleiter
Stickstoff
Mischkristall
Physik
Bandbildung
Band formation
III-V compound semiconductor
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
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