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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
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| Hlavní autor: | |
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| Další autoři: | |
| Médium: | Dissertation |
| Jazyk: | němčina |
| Vydáno: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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| Témata: | |
| On-line přístup: | Plný text ve formátu PDF |
| Tagy: |
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