Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts
In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...
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Автор: | |
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Формат: | Dissertation |
Мова: | німецька |
Опубліковано: |
Philipps-Universität Marburg
2006
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Предмети: | |
Онлайн доступ: | PDF-повний текст |
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Інтернет
PDF-повний текстШифр: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-05184 |
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Дата публікації: |
2006-10-20 |
Джерело: |
Berichte des Hahn-Meitner-Instituts HMI B-611 (ISSN 0936-0891) |
Datum der Annahme: |
2006-06-23 |
Downloads: |
50 (2024), 54 (2023), 74 (2022), 65 (2021), 149 (2020), 137 (2019), 44 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Доступ через URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0518 https://doi.org/10.17192/z2006.0518 |