Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

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Dades bibliogràfiques
Autor principal: Korte, Lars
Altres autors: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (Assessor de tesis)
Format: Dissertation
Idioma:alemany
Publicat: Philipps-Universität Marburg 2006
Matèries:
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Amorphous silicon
Heterojunction
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Crystalline silicon
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Amorphes Silicum
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Photoelectron spectroscopy
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Density of states
Amorphous semiconductors; glasses
Band-Offset
Physics
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Detall dels fons de
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-05184
Data de publicació: 2006-10-20
Font: Berichte des Hahn-Meitner-Instituts HMI B-611 (ISSN 0936-0891)
Datum der Annahme: 2006-06-23
Downloads: 50 (2024), 54 (2023), 74 (2022), 65 (2021), 149 (2020), 137 (2019), 44 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL d'accés: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0518
https://doi.org/10.17192/z2006.0518

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