Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts
In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | |
বিন্যাস: | Dissertation |
ভাষা: | জার্মান |
প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2006
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
আন্তর্জাল
পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠডাক সংখ্যা: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-05184 |
---|---|
প্রকাশনার তারিখ: |
2006-10-20 |
সম্পদ: |
Berichte des Hahn-Meitner-Instituts HMI B-611 (ISSN 0936-0891) |
Datum der Annahme: |
2006-06-23 |
Downloads: |
50 (2024), 54 (2023), 74 (2022), 65 (2021), 149 (2020), 137 (2019), 44 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
URL ব্যবহার করুন: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0518 https://doi.org/10.17192/z2006.0518 |