Publikationsserver
Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ձևաչափ: | Dissertation |
| Լեզու: | գերմաներեն |
| Հրապարակվել է: |
Philipps-Universität Marburg
2006
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | PDF ամբողջական տեքստ |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Համացանց
PDF ամբողջական տեքստ| Դասիչ: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957 |
|---|---|
| Հրապարակման ամսաթիվ: |
2006-04-11 |
| Datum der Annahme: |
2006-01-30 |
| Downloads: |
29 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| Հասանելի URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095 https://doi.org/10.17192/z2006.0095 |