Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...
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Format: | Dissertation |
Langue: | allemand |
Publié: |
Philipps-Universität Marburg
2006
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Sujets: | |
Accès en ligne: | Texte intégral en PDF |
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Internet
Texte intégral en PDFCote: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957 |
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Date de publication: |
2006-04-11 |
Datum der Annahme: |
2006-01-30 |
Downloads: |
29 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
URL d'accès: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095 https://doi.org/10.17192/z2006.0095 |