Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Petter, Kai
অন্যান্য লেখক: Fuhs, Walther (Prof.) (Thesis advisor)
বিন্যাস: Dissertation
ভাষা:জার্মান
প্রকাশিত: Philipps-Universität Marburg 2006
বিষয়গুলি:
Physik
Halbleiter / Gitterbaufehler
Defects
Epitaxy
Epitaxieschicht
Silicium
Silicon
Physics
অনলাইন ব্যবহার করুন:পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

আন্তর্জাল

পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ

হোল্ডিংসের বিবরণ
ডাক সংখ্যা: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957
প্রকাশনার তারিখ: 2006-04-11
Datum der Annahme: 2006-01-30
Downloads: 29 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL ব্যবহার করুন: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095
https://doi.org/10.17192/z2006.0095

অনুরূপ উপাদানগুলি