Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Volledige beschrijving

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Nau, Siegfried
Andere auteurs: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Thesis begeleider)
Formaat: Dissertation
Taal:Duits
Gepubliceerd in: Philipps-Universität Marburg 2004
Onderwerpen:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
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1. Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

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