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Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden
Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | ドイツ語 |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2004
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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