Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

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Kaydedildi:
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Yazar: Grüning, Heiko
Diğer Yazarlar: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Tez danışmanı)
Materyal Türü: Dissertation
Dil:Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2004
Konular:
Quantum wells
GaNAs
Bandformation
Physik
Optische Spektroskopie
III-V semiconductors
Störstelle
Galliumarsenid-Bauelement
Semiconductors
GaInNAs
Halbleiterphysik
Bandbildung
Stickstoff
Physics
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Detaylı Erişim Bilgileri
Yer Numarası: urn:nbn:de:hebis:04-z2004-06373
Yayın Tarihi: 2004-12-14
Datum der Annahme: 2004-10-13
Downloads: 59 (2024), 137 (2023), 152 (2022), 141 (2021), 85 (2020), 83 (2019), 32 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Erişim Adresi URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2004/0637
https://doi.org/10.17192/z2004.0637

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