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Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)
In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | ドイツ語 |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2004
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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インターネット
PDFフルテキスト| 請求記号: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2004-06373 |
|---|---|
| 出版日付: |
2004-12-14 |
| Datum der Annahme: |
2004-10-13 |
| Downloads: |
56 (2024), 137 (2023), 152 (2022), 141 (2021), 85 (2020), 83 (2019), 32 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| アクセスURL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2004/0637 https://doi.org/10.17192/z2004.0637 |