Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

Cijeli opis

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autor: Grüning, Heiko
Daljnji autori: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Savjetnik disertacije)
Format: Dissertation
Jezik:njemački
Izdano: Philipps-Universität Marburg 2004
Teme:
Quantum wells
GaNAs
Bandformation
Physik
Optische Spektroskopie
III-V semiconductors
Störstelle
Galliumarsenid-Bauelement
Semiconductors
GaInNAs
Halbleiterphysik
Bandbildung
Stickstoff
Physics
Online pristup:PDF cijeli tekst
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!

Internet

PDF cijeli tekst

Detalji primjeraka od
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2004-06373
Datum izdanja: 2004-12-14
Datum der Annahme: 2004-10-13
Downloads: 59 (2024), 137 (2023), 152 (2022), 141 (2021), 85 (2020), 83 (2019), 32 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL pristupa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2004/0637
https://doi.org/10.17192/z2004.0637

Slični predmeti