Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

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Main Author: Grüning, Heiko
Contributors: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2004
Subjects:
Quantum wells
GaNAs
Bandformation
Physik
Optische Spektroskopie
III-V semiconductors
Störstelle
Galliumarsenid-Bauelement
Semiconductors
GaInNAs
Halbleiterphysik
Bandbildung
Stickstoff
Physics
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Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2004-06373
Publication Date: 2004-12-14
Date of Acceptance: 2004-10-13
Downloads: 59 (2024), 137 (2023), 152 (2022), 141 (2021), 85 (2020), 83 (2019), 32 (2018)
License: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Access URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2004/0637
https://doi.org/10.17192/z2004.0637

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