Spin-Effekte von optisch erzeugten Ladungsträgern in Halbleitern

Spin-Effekte von optisch erzeugten Ladungsträgern in Halbleitern

Die heutige Halbleiter-Elektronik und Opto-Elektronik basiert fast ausschließlich auf der Ausnutzung der Coulomb-Wechselwirkung zwischen den Ladungen der Elektronen. Elektronen besitzen neben der Elementarladung aber auch noch den Spin als Teilchen-Eigenschaft. Der Elektronenspin...

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Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yazar: Hübner, Jens
Diğer Yazarlar: Rühle, Wolfgang Prof. Dr. (Tez danışmanı)
Materyal Türü: Dissertation
Dil:Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2003
Konular:
Nichtlineare Spektroskopie , Ultrakurzzeitspektroskopie
Halbleiterphysik
Nonlinear optics
Physik
Spinströme
spin-currents
Spin polarized transport in semiconductors
spin-injection , quantumdots
Optical creation of spin polarized carriers
Fermi surface: calculations and measurements; effective mass, g factor
Quantum dots
Spininjektion , Landé-g-Faktor , InP-Quantenpunkte
Physics
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Detaylı Erişim Bilgileri
Yer Numarası: urn:nbn:de:hebis:04-z2003-07419
Yayın Tarihi: 2003-12-22
Datum der Annahme: 2003-11-07
Downloads: 48 (2024), 81 (2023), 47 (2022), 73 (2021), 53 (2020), 17 (2019), 19 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Erişim Adresi URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2003/0741
https://doi.org/10.17192/z2003.0741

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