Spin-Effekte von optisch erzeugten Ladungsträgern in Halbleitern

Spin-Effekte von optisch erzeugten Ladungsträgern in Halbleitern

Die heutige Halbleiter-Elektronik und Opto-Elektronik basiert fast ausschließlich auf der Ausnutzung der Coulomb-Wechselwirkung zwischen den Ladungen der Elektronen. Elektronen besitzen neben der Elementarladung aber auch noch den Spin als Teilchen-Eigenschaft. Der Elektronenspin...

Full beskrivning

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman: Hübner, Jens
Övriga upphovsmän: Rühle, Wolfgang Prof. Dr. (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materialtyp: Dissertation
Språk:tyska
Publicerad: Philipps-Universität Marburg 2003
Ämnen:
Nichtlineare Spektroskopie , Ultrakurzzeitspektroskopie
Halbleiterphysik
Nonlinear optics
Physik
Spinströme
spin-currents
Spin polarized transport in semiconductors
spin-injection , quantumdots
Optical creation of spin polarized carriers
Fermi surface: calculations and measurements; effective mass, g factor
Quantum dots
Spininjektion , Landé-g-Faktor , InP-Quantenpunkte
Physics
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