On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автор: Höchbauer, Tobias
Формат: Dissertation
Мова:англійська
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2001
Предмети:
Онлайн доступ:PDF-повний текст
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!