On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Höchbauer, Tobias
Формат: Dissertation
Язык:английский
Опубликовано: Philipps-Universität Marburg 2001
Предметы:
Online-ссылка:PDF-полный текст
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!