On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Höchbauer, Tobias
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2001
Hasła przedmiotowe:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
No references were found for this record.

Podobne zapisy