On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Höchbauer, Tobias
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2001
Gaiak:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
No references were found for this record.

Antzeko izenburuak