On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Autor principal: Höchbauer, Tobias
Format: Dissertation
Idioma:anglès
Publicat: Philipps-Universität Marburg 2001
Matèries:
Accés en línia:PDF a text complet
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!