On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

On the mechanisms of hydrogen implantation induced silicon surface layer cleavage

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Höchbauer, Tobias
Formaat: Dissertation
Taal:Engels
Gepubliceerd in: Philipps-Universität Marburg 2001
Onderwerpen:
Chemie
Silicon surface layer cleavage
Chemistry & allied sciences
Online toegang:PDF Full text
Tags: Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!

Internet

PDF Full text

Exemplaargegevens van
Plaatsingsnummer: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04033
Publicatiedatum: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2001-12-18
Downloads: 61 (2024), 99 (2023), 117 (2022), 159 (2021), 148 (2020), 370 (2019), 113 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL naar item: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0403
https://doi.org/10.17192/z2002.0403

Gelijkaardige items