Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

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Bibliographic Details

Main Author:	Pomberg, Michael
Contributors:	Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2016
Subjects:	Silazane Transistor Dielektrikum silazane, dielectric Ammonolyse Chemie Leckstrom Bis(dichlorphenylsilyl)amin Thin-film Chemistry & allied sciences
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