Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

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Bibliographic Details

Main Author:	Zimprich, Martin
Contributors:	Stolz, W. (Dr.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2013
Subjects:	Ga(NAsP) Durchstrahlungselektronenmikroskopie OEIC (BGa)(AsP) integrierter Halbleiterlaser Semiconductor lasers; laser diodes silicon photonics Röntgendiffraktometrie (BGa)P Photolumineszenz Laser , MOCVD-Verfahren Tempern Physik Photolumineszenzspektroskopie Physics
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