Hochaufgelöste transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen an Galliumphosphid auf Silizium

In dieser Arbeit wurden GaP/Si-Heterostrukturen, die mittels MOVPE gewachsen wurden, mit Hilfe verschiedener TEM-Methoden untersucht. Die HAADF-Technik hat sich als geeignete Methode zur Untersuchung der Grenzfläche und Auftreten der APDs auf atomarer Skala erwiesen. Trotz der oft gelobten intuitive...

Full description

Bibliographic Details

Main Author:	Beyer, Andreas
Contributors:	Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2012
Subjects:	Physik Galliumphosphid Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop Scanning transmission electron microscopy Epitaxy Durchstrahlungselektronenmikroskopie Epitaxie Silicon Galliumphosphide Silicium Physics
Online Access:	PDF Full Text
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!