Terahertz-Antwort von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen in GaAs-basierten Heterostrukturen

Terahertz-Antwort von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen in GaAs-basierten Heterostrukturen

Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der THz-Antwort zweidimensionaler Ladungsträgersysteme in verschiedenen Halbleiterheterostrukturen unter wechselnden Bedingungen. Zur Durchführung der Experimente wird ein Spektrometer verwendet, welches in Kombination sowohl zeitaufgelöste Optische-Anre...

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Main Author: Grunwald, Torben
Contributors: Chatterjee, Sangam (Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2009
Subjects:
Terahertz Spektroskopie
Terahertz
Terahertz spectroscopy
Electron gas, Heterostructure
Terahertz response
Halbleiter
Niederdimensionaler Halbleiter
Electron states at surfaces and interfaces
Heterostruktur
Elektro
Optical properties of specific thin films (for optical properties of low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale materials, see 78.67.-n; for optical properties of surfaces, see 78.68.+m)
Plasma
High-frequency effects; plasma effects
Dielektrische Funktion
Elektron-Loch-Plasma
Terahertz-Antwort
III-V semiconductors
Physik
Physics
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Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2010-00363
Publication Date: 2010-03-16
Date of Acceptance: 2009-12-17
Downloads: 71 (2024), 58 (2023), 64 (2022), 117 (2021), 110 (2020), 52 (2019), 22 (2018)
License: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Access URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2010/0036
https://doi.org/10.17192/z2010.0036

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