Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Oberhoff, Stefan
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2007
Schlagworte:
Physik
Ga(NAsP)
Atomic force microscopy (AFM)
Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c
(GaIn)(NAs)
Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter
Innere Grenzflächen
Grenzflächenaktiver Stoff
Selektives Ätzen
III-V semiconductors
(GaIn)(NAsSb)
Heterostruktur
Dilute nitride compound semiconductors
Semiconductor lasers; laser diodes
Halbleitergrenzfläche
Metastabilität
Halbleiter
Drei-Fünf-Halbleiter
Interior interfaces
Physics
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