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Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

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Bibliographic Details
Main Author: Oberhoff, Stefan
Contributors: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2007
Subjects:
Physik
(GaIn)(NAsSb)
Atomic force microscopy (AFM)
Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c
Interior interfaces
Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
Dilute nitride compound semiconductors
Ga(NAsP)
Innere Grenzflächen
Grenzflächenaktiver Stoff
Selektives Ätzen
(GaIn)(NAs)
III-V semiconductors
Heterostruktur
Semiconductor lasers; laser diodes
Halbleitergrenzfläche
Metastabilität
Halbleiter
Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter
Drei-Fünf-Halbleiter
Physics
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Holdings details from
Call Number: urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00700
Publication Date: 2008-02-20
Date of Acceptance: 2007-12-03
Downloads: 106 (2024), 77 (2023), 87 (2022), 80 (2021), 88 (2020), 163 (2019), 85 (2018)
License: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Access URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
https://doi.org/10.17192/z2008.0070

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