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Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

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Main Author: Korte, Lars
Contributors: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2006
Subjects:
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Band-Offset
Amorphous silicon
Crystalline silicon
Photoelectron spectroscopy
Density of states
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Heterojunction
Amorphes Silicum
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Amorphous semiconductors; glasses
Physics
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