Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Die Realisierung von optoelektronisch integrierten Schaltungen auf Silizium-Substrat würde ein komplett neues Feld der Fabrikationstechnologie eröffnen. Motiviert durch die vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten wurde in dieser Arbeit das Ziel verfolgt, ein Materialsystem mittels MOVPE (metal organi...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kunert, Bernardette
Beteiligte: Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2005
Schlagworte:
Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f)
Halbleiterschicht
Materialentwicklung
(GaIn)(NAsP)
Halbleiter
Bandstrukturberechnung
Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter
Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC)
III-V semiconductors
Optoelectronic integrated circuits (OEIC)
Heterostruktur
Halbleiter / Mischkristall
Drei-Fünf-Halbleiter
Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk)
Physik
Diluted nitride
Epitaxie
III-V compound semiconductor
Physics
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