0500 Oau
1100 2005
2050 ##0##urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00676
2051 ##0##10.17192/z2006.0067
3000 Kunert, Bernardette
4000 Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters
4085 ##0##=s MB=u https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0067=x H
5050 |530
5584 Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f)
5584 Halbleiterschicht
5584 Materialentwicklung
5584 (GaIn)(NAsP)
5584 Halbleiter
5584 (GaIn)(NAsP)
5584 Bandstrukturberechnung
5584 Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter
5584 Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC)
5584 III-V semiconductors
5584 Optoelectronic integrated circuits (OEIC)
5584 Heterostruktur
5584 Halbleiter / Mischkristall
5584 Drei-Fünf-Halbleiter
5584 Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk)
5584 Physik
5584 III-V semiconductors
5584 Diluted nitride
5584 Epitaxie
5584 III-V compound semiconductor
opus:1277