Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur quantitativen Analyse N-haltiger III/V-Halbleiterheterostrukturen

Das Verständnis der Struktur und der Morphologie von N-haltigen GaAs-basierenden Materialsystemen baut auf der erfolgreichen Anwendungen verschiedener neuartiger transmissionselektronenmikroskopischer Studien (TEM-Studien) in Kombination mit unterschiedlichen theoretischen Modellierungen auf. Dahe...

Full description

Bibliographic Details

Main Author:	Torunski, Torsten
Contributors:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2005
Subjects:	Inhomogene Verspannungsfelder Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall TEM (GaIn)(NAs) Verfeinerte Strukturfaktorberechnungen Durchstrahlungselektronenmikroskopie Metastabilität Drei-Fünf-Halbleiter Refined structure factor calculations Physik Inhomogeneous strain fields Physics
Online Access:	PDF Full Text
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!