Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

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Bibliographic Details

Main Author:	Nau, Siegfried
Contributors:	Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Thesis advisor)
Format:	Doctoral Thesis
Language:	German
Published:	Philipps-Universität Marburg 2004
Subjects:	Laserdiode Gallium Indium Arsenid Nitrid Interior interfaces inhomogene Verspannung (GaIn)(NAs) VCSEL-Laser innere Grenzflächen Metastabilität Drei-Fünf-Halbleiter UDMHy Gallium Indium Arsenide Nitride Lithographie <Halble Epitaxie Inhomogeneous strain Physik Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall Physics
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